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1N5748C

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 33V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 33V 500MW DO-35
1N5748C 技術參數
  • 1N5748B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5747D 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5747C 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5747B 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5746D 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5751D 1N5752B 1N5752C 1N5752D 1N5753B 1N5753C 1N5753D 1N5754B 1N5754C 1N5754D 1N5755B 1N5755C 1N5755D 1N5756B 1N5756C 1N5756D 1N5757B 1N5757C
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