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1N638O

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1N638O 技術參數
  • 1N6386HE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,TransZorb? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,000 1N6386HE3_A/C 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,TransZorb? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,400 1N6386HE3/73 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,TransZorb? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,000 1N6386HE3/54 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,TransZorb? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,400 1N6386HE3/51 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101,TransZorb? 包裝:散裝 零件狀態:停產 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,500 1N6462 1N6462US 1N6463 1N6463US 1N6464 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US
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