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1N6460

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Schottky Rectifier

1N6460 技術參數

1N646 1N645UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:225V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6392 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:54A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:820mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:3000pF @ 5V，1MHz 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US