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1N6633C

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5 WATT GLASS ZENER DIODES
1N6633C 技術參數
  • 1N6633 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1N6632US 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 1N6632 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 1N6631US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6631 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R
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