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1POJ1916HCEVNT01

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1POJ1916HCEVNT01 技術參數

1PMT7.0AT3G 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:7V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.78V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:12,000 1PMT7.0AT1G 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:7V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.78V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT7.0AT1 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:7V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.78V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5956E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5956E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PS16 1PS181,115 1PS181,135 1PS184,115 1PS184,135 1PS193,115 1PS193,135 1PS226,115 1PS226,135 1PS300,115 1PS301,115 1PS301/ZLX 1PS302,115 1PS59SB10,115 1PS59SB14,115 1PS59SB15,115 1PS59SB16,115 1PS59SB20,115