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1SV288TPH3(T3SONY)

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    1SV288TPH3(T3SONY)

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
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1SV288TPH3(T3SONY) 技術參數
  • 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:2.35pF @ 4V,1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 不同?Vr,F 時的電容:3pF @ 25V,1MHz 電容比:12.5 電容比條件:C2/C25 電壓 - 峰值反向(最大值):34V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 不同?Vr,F 時的電容:8.7pF @ 4V,1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV281(TPH3,F) 功能描述:DIODE VCO V/UHF 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:8.7pF @ 4V,1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV280,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:2pF @ 10V,1MHz 電容比:2.4 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向(最大值):15V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG
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