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1SV308(TPH3F)

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    1SV308(TPH3F)

    1SV308(TPH3F)

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • TOSHIBA

  • SOD-523

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
1SV308(TPH3F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
1SV308(TPH3F) 技術參數
  • 1SV308(TH3,F) 功能描述:DIODE PIN 30V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:PIN - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F 時的電容:0.5pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV307(TPH3,F) 功能描述:SWITCHING DIODE 30V 2 USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr,F 時的電容:0.5pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:6.6pF @ 4V,1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:6.6pF @ 4V,1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 不同?Vr,F 時的電容:2.35pF @ 4V,1MHz 電容比:2.3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 二極管類型:單一 不同 Vr,F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79,SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG
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