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1SV309(TPH3,F)

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
1SV309(TPH3,F) - Tape and Reel
制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
TOS1SV309(TPH3,F) SILICON EPITAXIAL PLAN

1SV309(TPH3,F) 技術參數

1SV308,L3F 功能描述:X34 PB-F ESC SW PIN DIODE (HF), 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 時的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 工作溫度:125°C（TJ）封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:8,000 1SV308(TH3,F) 功能描述:DIODE PIN 30V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 時的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV307(TPH3,F) 功能描述:SWITCHING DIODE 30V 2 USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 時的電容:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效不同?Vr，F 時的電容:6.6pF @ 4V，1MHz 電容比:3 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG 1SX250LN2F43I1VG