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2N4115

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  • 型號
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  • 說明
  • 操作
  • 2N4115
    2N4115

    2N4115

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 2520

  • GSI

  • 原廠標準封裝

  • n/a

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨特價,停產(chǎn)偏冷優(yōu)勢供應!數(shù)量需確...

  • 2N4115
    2N4115

    2N4115

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
2N4115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
2N4115 技術參數(shù)
  • 2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N4093 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/431 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):8mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16pF @ 20V 電阻 - RDS(開):80 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4092UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N4092 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/431 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):15mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16pF @ 20V 電阻 - RDS(開):50 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4091UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU
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