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2N4123APP

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  • 2N4123 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4119A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):200μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4119A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):200μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4119A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):200μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4118A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):80μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z 2N4126BU 2N4126TA 2N4126TAR 2N4126TF
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