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2N4338-2

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET N-CH 3PIN TO-18 - Bulk
2N4338-2 技術參數
  • 2N4338 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):200μA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):300mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4300 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4264 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4261 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N4365 2N4366 2N4367 2N4368 2N4371 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2
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