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2N4393C1A-JQRS.CVP

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2N4393C1A-JQRS.CVP 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4393 功能描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4392UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4392-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4392-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4400TF 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG
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