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2N4416AC1AESAGCDM

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2N4416AC1AESAGCDM 技術參數

2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4410_D75Z 功能描述:TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N4410_D74Z 功能描述:TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N4856 2N4856JAN02 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02