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2N4422

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    2N4422

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  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

    聯系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室

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  • 富士通

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  • 原裝,公司部分現貨,有單來談QQ:161...

  • 2N4422
    2N4422

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 8000

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  • ALTERA.XILINX代理指定授權分...

  • 2N4422
    2N4422

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SEMICONDUCTORS

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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2N4422 技術參數
  • 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):35V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859
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