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2N4854LEADFREE

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2N4854LEADFREE 技術參數
  • 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-46(TO-206AB) 標準包裝:1 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 100mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:250 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 3mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):30nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,4.5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02
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