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2N4854UTX

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功能描述
TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD
RoHS
否
類別
分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列
系列
-
標準包裝
10,000
系列
-
晶體管類型
2 NPN（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大
250mW
頻率 - 轉換
250MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
PG-SOT363-6
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000747402

2N4854UTX 技術參數

2N4854U 功能描述:NPN/PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46（TO-206AB）標準包裝:1 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:250 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860