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2N4857JANTX

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • 2N4857JANTX
    2N4857JANTX

    2N4857JANTX

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 148

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 2N4857JANTX
    2N4857JANTX

    2N4857JANTX

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • solitron

  • 100boxto

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝特價現貨!

  • 2N4857JANTX
    2N4857JANTX

    2N4857JANTX

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • SSS

  • 09+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N4857JANTX
    2N4857JANTX

    2N4857JANTX

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 148

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

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  • 1
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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全稱
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • N-Channel JFETs
2N4857JANTX 技術參數
  • 2N4857JAN02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V 電阻 - RDS(開):40 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4856UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4856JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:1 2N4856JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02 2N4860JTX02 2N4860JTXL02 2N4860JTXV02 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02 2N4861JTXL02
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