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2N4859JANTX

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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
2N4859JANTX 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4859JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4859A 功能描述:JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:250pA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:25 Ohms 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:175mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4858UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4858JTXV02 功能描述:JFET N-CH 40V 80MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18） 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02 2N4861JTXL02 2N4861JTXV02 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910
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