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2N5114JANTX

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  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話(huà):83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 2N5114JANTX
    2N5114JANTX

    2N5114JANTX

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話(huà):13428937514

    地址:門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 239

  • MSC

  • 2007/2008

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  • 1
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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全稱(chēng)
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • P-Channel JFETs
2N5114JANTX 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5114JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N5114-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N5114 功能描述:P CHANNEL JFET 制造商:microsemi corporation 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):90mA @ 18V 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開(kāi)):75 Ohms 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18(TO-206AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,15V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5093 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L
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