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2N5114JTVL02

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制造商
Vishay Siliconix
功能描述
19500/476 JANTXV2N5114 W/SLDR DIP

2N5114JTVL02 技術參數

2N5114JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5114-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:200 2N5114 功能描述:P CHANNEL JFET 制造商:microsemi corporation 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:90mA @ 18V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:75 Ohms 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，15V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N5093 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L 2N5172