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2N5550G.

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2N5550G.
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
41245
ON SEMICO
1521+
-
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您是不是要找： 2N5550RLRA 2N5550RLRAG 2N5550RLRP 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
TRANSISTOR BJT NPN 140V 0.6A TO-92
制造商
ON Semiconductor
功能描述
TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92
制造商
ON Semiconductor
功能描述
TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92, Transistor Polarity

2N5550G. 技術參數

2N5550G 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 2N5550BU 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N5550_J24Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:3,500 2N5550_D26Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5550 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA 2N5551RLRAG 2N5551RLRM 2N5551RLRMG 2N5551RLRP 2N5551RLRPG