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2N5639 TO-92 三極管

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2N5639 TO-92 三極管 技術參數
  • 2N5639 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5638RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:2,000 2N5638RLRA 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:2,000 2N5638_D26Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5638 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769
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