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2N6792

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2N6792
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
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2N6792
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
INTERSIL
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假一罰十，百分百原裝正品

2N6792
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
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制造商
International Rectifier
功能描述
TRANS MOSFET N-CH 400V 2A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk
制造商
International Rectifier
功能描述
N CHANNEL MOSFET, 400V, 2A TO-205AF; Transistor Polarity

2N6792 技術參數

2N6790U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6790 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6788U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6788 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6784U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126