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2N7002-T1-E3

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說明
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2N7002-T1-E3
現貨
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
78920
Vishay(威世)
SOT-23-3
23+
-
原裝現貨庫存優勢價格出庫

2N7002-T1-E3
現貨
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯
電話：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大廈B座907
1850
VISHAY
SOT-23
0730+
-
█100%現貨█可開17%增票█可申請免...

2N7002-T1-E3
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
VISHAY
con
24+
-
場效應管

2N7002-T1-E3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
VISHAY
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2N7002-T1-E3
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
VISHAY
con
24+
-
場效應管

2N7002-T1-E3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
VISHAY
SOT-23
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N7002-T1-E3
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
150
VISHAY
SOT-23
15+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

2N7002-T1-E3
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
39000
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.03068 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET 60V 0.115A 0.2W
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N7002-T1-E3 技術參數

2N7002T,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:3,000 2N7002T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SOT-523F 標準包裝:1 2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z