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2N7002W-TP

配單專家企業名單

型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N7002W-TP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
MCC
SOT-323
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

2N7002W-TP
深圳市崧曄達科技有限公司
深圳市崧曄達科技有限公司
聯系人：苑小姐
電話：13926591096
地址：深圳市福田區新亞洲二期N1A160
資質：營業執照
808
MCC
N/A
2227+
-
只做原裝，實單來談

2N7002W-TP
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
3000
MCC/美微科
con
22+
-
現貨常備，京北通宇查價https://w...

2N7002W-TP
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
5721
Micro Commercial Componen
SOT-323-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

2N7002W-TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

2N7002W-TP
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
1005
MICRO COM
1521+
-
全新原裝現貨

2N7002W-TP
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10
MCC
13+
-
原裝正品，現貨庫存

2N7002W-TP
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
33000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
價格優勢
2440
-
全新原裝渠道現貨

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2N7002W-TP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET SNGL N-CH 60V 115mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N7002W-TP 技術參數

2N7002WT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:10,000 2N7002WT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:1 2N7002WST1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:3,000 2N7002W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2N7002W-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2N7053_D75Z 2N706 2N708 2N720A 2N7224 2N7224U 2N7225 2N7225U 2N7227 2N7227U 2N7228 2N7228U 2N7236 2N7236U 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA