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2N7225UPBF

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2N7225UPBF 技術參數

2N7225U 功能描述:MOSFET N-CH 200V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N7225 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N7224U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 34A SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:81 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N7224 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N720A 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E