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2N928

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-18
2N928 技術參數
  • 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N918 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N915 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA
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