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2SAR533P_13

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制造商
ROHM
制造商全稱
Rohm
功能描述
PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor

2SAR533P_13 技術參數

2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SAR523EBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SAR522UBTL 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR522MT2L 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1