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2SCR512PT100

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  • 封裝
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  • 2SCR512PT100
    2SCR512PT100

    2SCR512PT100

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • ROHM

  • SOT89

  • 最新批號

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  • 2SCR512PT100
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 10000

  • ROHM

  • TO-220F

  • 22+

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  • 2SCR512PT100
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐

    電話:1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 2SCR512PT100
    2SCR512PT100

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 4585

  • ROHM SEMI

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

  • 2SCR512PT100
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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 790

  • ROHM

  • 2011

  • -
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2SCR512PT100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 30V 2A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SCR512PT100 技術參數
  • 2SCR512PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR512P5T100 功能描述:NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR502UBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SCR502EBTL 功能描述:TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SCR375P5T100R 功能描述:NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 80mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100 2SCR533PFRAT100 2SCR533PT100 2SCR542PFRAT100 2SCR542PT100 2SCR543DTL 2SCR543RTL 2SCR544P5T100 2SCR544PFRAT100 2SCR544PT100 2SCR544RTL 2SCR552P5T100
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