欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > 2字母型號搜索 >

2SJ652_12

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " 2SJ652_12 " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SJ652_12 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
2SJ652_12 技術參數
  • 2SJ652 功能描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):135 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1020pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):48 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 隔離片 供應商器件封裝:TO-220 隔離的標片 標準包裝:1 2SJ610(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.55 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):381pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:2,000 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F)
配單專家

在采購2SJ652_12進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買2SJ652_12產品風險,建議您在購買2SJ652_12相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的2SJ652_12信息由會員自行提供,2SJ652_12內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 衡水市| 海林市| 衡南县| 漠河县| 叙永县| 宁南县| 九龙坡区| 筠连县| 聊城市| 澳门| 永德县| 扎赉特旗| 巴里| 温宿县| 清丰县| 定州市| 隆昌县| 吉林省| 佛山市| 无极县| 诏安县| 张家界市| 新和县| 扎赉特旗| 郯城县| 韶山市| 资阳市| 南雄市| 宜城市| 上蔡县| 阜南县| 丰县| 巴林右旗| 德惠市| 云南省| 松滋市| 信丰县| 正宁县| 顺昌县| 南城县| 黄平县|