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2SK3704-TH

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  • 2SK3704-TH
    2SK3704-TH

    2SK3704-TH

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 178

  • SHINDENGE

  • TO-247

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2SK3704-TH
    2SK3704-TH

    2SK3704-TH

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 890

  • SANYO

  • TO-220F

  • 07+rohs

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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2SK3704-TH 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3704 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3703-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1780pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3703 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1780pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3702 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):775pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3670,F(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801
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