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2SK3712-Z-E1-AZ

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  • 2SK3712-Z-E1-AZ
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    2SK3712-Z-E1-AZ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 2SK3712-Z-E1-AZ
    2SK3712-Z-E1-AZ

    2SK3712-Z-E1-AZ

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話(huà)：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 24544

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-252-3, DPak (2 Le

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 250V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Cut Tape
2SK3712-Z-E1-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3711 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8000pF @ 10V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3710 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:85A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3709 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:37A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3708 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3707-1E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E
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