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2SK376M

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2SK376M 技術參數
  • 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:12dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:32dBm 電壓 - 額定:7.5V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SC-62 標準包裝:1 2SK3748-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-94 供應商器件封裝:TO-3PF-3 標準包裝:30 2SK3748 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PML 標準包裝:100 2SK3747-MG8 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PML 標準包裝:25 2SK3747-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-94 供應商器件封裝:TO-3PF-3 標準包裝:30 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q)
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