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2SK3832

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  • 2SK3832
    2SK3832

    2SK3832

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • SANYO

  • TO-3PB

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 2SK3832
    2SK3832

    2SK3832

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-3P

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2SK3832
    2SK3832

    2SK3832

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • TO-3PB

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝特價現貨!

  • 2SK3832
    2SK3832

    2SK3832

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 原廠封裝

  • 07/08+

  • -
  • 2SK3832
    2SK3832

    2SK3832

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 9800

  • T

  • TO

  • 2015+

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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2SK3832 技術參數
  • 2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):26A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2150pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3824 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1780pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3821-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3(SMT)標片 供應商器件封裝:SMP 標準包裝:100 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E
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