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2SK3993-ZK-E2

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  • 2SK3993-ZK-E2-AY
    2SK3993-ZK-E2-AY

    2SK3993-ZK-E2-AY

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NEC/RENESAS

  • SOT-252

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK3993-ZK-E2
    2SK3993-ZK-E2

    2SK3993-ZK-E2

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • NEC

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
2SK3993-ZK-E2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
2SK3993-ZK-E2 技術參數
  • 2SK3943-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):82A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 41A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263 標準包裝:1 2SK3906(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):330 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4250pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SK3892 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3177pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220D-A1 標準包裝:50 2SK3868(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):550pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12400pF @ 10V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS
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