欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > 2字母型號搜索 >

2SK4058-ZK-E2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK4058-ZK-E2-AY
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEC/RENESAS
TO-252
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK4058-ZK-E2
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
NEC
原廠封裝
09+
-

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E

2SK4058-ZK-E2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4058-ZK-E2 技術參數

2SK4043LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 10A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4037(TE12L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:11.5dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:3A 噪聲系數:- 電流 - 測試:250mA 功率 - 輸出:36.5dBmW 電壓 - 額定:12V 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SK4017(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:730pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SK4016(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS