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2SK4065-DL-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK4065-DL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ONSemiconductor
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK4065-DL-E
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
23301
ON/安森美
D2PAK
22+
-

2SK4065-DL-E
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4883
SANYO
SOT-263
2212+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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2SK4065-DL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4065-DL-E PDF下載

功能描述
MOSFET POWER MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2SK4065-DL-E 技術參數

2SK4065-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 75V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta），90W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:800 2SK4065-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SK4043LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 10A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4037(TE12L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:11.5dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:3A 噪聲系數:- 電流 - 測試:250mA 功率 - 輸出:36.5dBmW 電壓 - 額定:12V 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125