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參數資料
型號: SPB80N06S2L-H5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 415K
代理商: SPB80N06S2L-H5
2003-05-09
Page 1
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
55
V
m
A
4.5
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N06L05
2N06L05
2N06L05
Type
SPP80N06S2L-05
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4246
SPB80N06S2L-05
SPI80N06S2L-05
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4256
Q67060-S7422
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
800
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=44V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相關PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2-05 2.00mm Pitch DIL Female Crimp Housing, 10+10-way
SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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