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參數資料
型號: IS41C16256-60K
英文描述: 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 256K × 16(4兆位)的動態與江戶頁面模式內存
文件頁數: 12/20頁
文件大?。?/td> 215K
代理商: IS41C16256-60K
IS41C16256
IS41LV16256
12
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
READ WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE Cycles)
t
RAS
t
RWC
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RP
t
AR
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CAH
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ASC
t
RAD
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RAH
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RAL
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RAC
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AA
I/O
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Valid D
OUT
Valid D
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Undefined
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相關PDF資料
PDF描述
IS41C16256 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-35T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-50KI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-50TI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
相關代理商/技術參數
參數描述
IS41C16256-60KI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60T 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256C 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256C-35TLI 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M, 5V, EDO 動態隨機存取存儲器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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