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AOB11N60L

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOB11N60L
    AOB11N60L

    AOB11N60L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • AOS萬代

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • AOB11N60L
    AOB11N60L

    AOB11N60L

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • AOB11N60L
    AOB11N60L

    AOB11N60L

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生

    電話:13487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 17523

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-263-3, D虜Pak (2 L

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • AOB11N60L
    AOB11N60L

    AOB11N60L

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生

    電話:1376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 45154

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-263-3, D虜Pak (2 L

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
AOB11N60L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 11A TO263
AOB11N60L 技術參數
  • AOB11C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 100V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB11C60 功能描述:MOSFET N-CH TO-263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):440 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB1100L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta),130A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4833pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB10T60PL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1595pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB10N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L AOB2500L AOB2502L AOB254L AOB256L AOB25S65L AOB2606L AOB2608L
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