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AOWF11N70

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOWF11N70
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOT
TO-262F
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

AOWF11N70
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
24680
12+
130
新批次
-
只做原裝假一賠十

AOWF11N70
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
130
AOS/萬代
TO-262
12+
-
授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

AOWF11N70
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質：營業(yè)執(zhí)照
59990
AO/萬代
TO-262F
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

AOWF11N70
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
TO-262F
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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1

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AOWF11N70 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AOWF11N70 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 700V 11A TO262F
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOWF11N70 技術參數(shù)

AOWF11N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1990pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF11C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF11A60 功能描述:MOSFET N-CH TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1,000 AOWF10T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1595pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF10T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-262F 封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 標準包裝:1,000 AOWF15S65 AOWF20S60 AOWF240 AOWF25S65 AOWF2606 AOWF296 AOWF412 AOWF4N60 AOWF4S60 AOWF7S60 AOWF7S65 AOWF8N50 AOWF9N70 AOY2610E AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514