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APT30GT60BRDQ2G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT30GT60BRDQ2G
現(xiàn)貨
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20393
MICROSEMI
Standard
2025+
-
頂級(jí)代理現(xiàn)貨原裝假一賠十

APT30GT60BRDQ2GMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

APT30GT60BRDQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT30GT60BRDQ2G
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1100
MICROSEMI
2014+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

APT30GT60BRDQ2G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

APT30GT60BRDQ2G
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
19870
Microchip / Microsemi
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

APT30GT60BRDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

APT30GT60BRDQ2G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APT
模塊
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT30GT60BRDQ2G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
模塊
模塊熱賣特價(jià) ！
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT30GT60BRDQ2G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
IGBT 600V 64A 250W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
Thunderbolt IGBT®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT30GT60BRDQ2G 技術(shù)參數(shù)

APT30GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:570μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/360ns 測試條件:400V，30A，9.1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:570μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/360ns 測試條件:400V，30A，9.1 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV

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