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APT40DC60HJ

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封裝
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價格
說明
操作

APT40DC60HJ
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共2條
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您是不是要找： APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ

APT40DC60HJ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE DIODE

APT40DC60HJ 技術參數

APT40DC120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相，碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:40A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT39M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT39F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT38N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2826pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 APT38N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:112nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2826pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S APT40GT60BRG APT40M35JVFR