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APT40SM120B

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT40SM120BP
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
MIC
TO-247
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

APT40SM120B
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247
25+
-
國產品牌，替代進口

APT40SM120B
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
80237
Microsemi Corporation
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APT40SM120B
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
散裝
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共16條
1

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APT40SM120B PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
41A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA（標準）
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
130nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2560pF @ 1000V
功率 - 最大值
273W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
標準包裝
1

APT40SM120B 技術參數

APT40N60JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT40M75JN 功能描述:MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 28A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT40M70LVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT40M70JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8890pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT43GA90B APT43GA90BD30 APT43M60B2 APT43M60L APT44F80B2 APT44F80L APT44GA60B APT44GA60BD30 APT44GA60BD30C APT45GP120B2DQ2G APT45GP120BG APT45GP120J APT45GP120JDQ2 APT45GR65B APT45GR65B2DU30 APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 APT45M100J