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APT6015B2VFR

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  • APT6015B2VFR
    APT6015B2VFR

    APT6015B2VFR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • YXYBDT臺(tái)灣

  • TO-3PN

  • 2024+

  • -
  • 代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS V FREDFET
APT6015B2VFR 技術(shù)參數(shù)
  • APT6013LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 21.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5630pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT6013JLL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):39A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 19.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5630pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT6010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):54A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 27A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6710pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT5F100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1409pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT58MJ50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):初步 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):58A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):340nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 42A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG APT60DQ100LCTG APT60DQ120BG APT60DQ120LCTG APT60DQ60BCTG
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