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APTC60SKM24T1G

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTC60SKM24T1G
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
13
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APTC60SKM24T1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APTC60SKM24T1G
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
674615
Microchip
22+
-

APTC60SKM24T1G
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
674615
Microchip
22+
-

APTC60SKM24T1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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1

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APTC60SKM24T1G PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
CoolMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTC60SKM24T1G 技術(shù)參數(shù)

APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM83FT2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:255nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7290pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G