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APTC60TAM21SCTPAG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTC60TAM21SCTPAG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營優勢產品

APTC60TAM21SCTPAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTC60TAM21SCTPAG
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

APTC60TAM21SCTPAG
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1
MICROSEMI
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1/1頁 40條/頁共2條
1

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功能描述
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
制造商
microsemi corporation
系列
CoolMOS??
包裝
散裝
零件狀態
在售
FET 類型
6 N-溝道（3 相橋）
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
116A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
21 毫歐 @ 88A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 6mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
580nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
13000pF @ 100V
功率 - 最大值
625W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
SP6-P
標準包裝
1

APTC60TAM21SCTPAG 技術參數

APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTC60HM83FT2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:255nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7290pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:1 APTC60HM70T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G