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APTGT150DU60T

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  • APTGT150DU60T
    APTGT150DU60T

    APTGT150DU60T

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • N93X40-10L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU60T 技術參數
  • APTGT150DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):13.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT150DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):9.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT150DH170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):13.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT150SK60T1G APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G
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