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APTGT25X120T3G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT25X120T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTGT25X120T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTGT25X120T3G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTGT25X120T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現(xiàn)貨，

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1

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APTGT25X120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT25X120T3G PDF下載

功能描述
IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT25X120T3G 技術參數(shù)

APTGT25SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 40A 140W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT25H120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT25DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 40A 140W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT25A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 40A 156W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT25A120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 40A 140W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:140W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT300DA170D3G APTGT300DA170G APTGT300DA60D3G APTGT300DA60G APTGT300DH60G APTGT300DU120G APTGT300DU170G APTGT300DU60G APTGT300H60G APTGT300SK120D3G APTGT300SK120G APTGT300SK170D3G APTGT300SK170G APTGT300SK60D3G APTGT300SK60G APTGT300TL60G APTGT300TL65G APTGT30A170D1G