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APTM100A23SCT

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APTM100A23SCT
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
N93X40-9L
25+
-
國產品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： APTM100A23SCTG APTM100A23STG APTM100A40FT1G APTM100A46FT1G APTM100AM90FG APTM100DA18T1G APTM100DA18TG APTM100DA33T1G APTM100DA40T1G

APTM100A23SCT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTM100A23SCT 技術參數

APTM100A18FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:43A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 21.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:372nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100A13SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:156 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:68A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:616nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100DAM90G APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG